TDK缓冲薄膜电容B32656S0684K564

TDK缓冲薄膜电容，突波吸收电容，滤波电容，B32656S0684K564 
B32656S0684K564  0.68uF1000V10%
薄膜电容器 0.68uF 1000volts 10% ESR 6.0mOhms Term=T
制造商: EPCOS / TDK
产品种类: 薄膜电容器
RoHS:  详细信息
系列: B32656S
端接类型: Radial
产品: Snubber Film Capacitors
电介质: Polypropylene (PP)
电容: 0.68 uF
电压额定值 DC: 1 kVDC
电压额定值 AC: 500 VAC
容差: 10 %
管脚数量: 2 Pin
引线间隔: 28 mm
引线类型: Straight
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 110 C
长度: 42 mm
宽度: 16 mm
高度: 28.5 mm
ESR: 6 mOhms
资格: AEC-Q200
封装: Bulk
商标: EPCOS / TDK
电容-nF: 680 nF
电容-pF: 680000 pF
直径: -
引线直径: 1 mm
产品类型: Film Capacitors
工厂包装数量: 48
子类别: Capacitors
类型: Metallized Film Capacitors
单位重量: 50 g

对于吸收电容的了解，相信大家对此都不会陌生。那吸收电容的结构特点不知道大家了解又有多少呢？以下，小编将带大家一起分享吸收电容的基本知识，希望大家都能好好的浏览以下的知识。

吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。

吸收电容的结构特点

双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。

电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构

封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准

尺寸: 适合于各种IGBT保护。

北京友盛兴业科技有限公司常备TDK/EPCOS库存，欢迎来电咨询
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