低孔隙率烧结银膏德国烧结银替代

随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。

有压银烧结AS9385是一种新型的高可靠芯片粘接和键合技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有的导热性和导电性。 该技术可以将器件的结温 (Tj) 低降至150℃。

SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：