目前尽可能从机械方面集成电力电子系统所有的功能,碳化硅、氮化镓(射频/非射频)模块封装也向着更高的集成度方向发展。烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.芯片连接采用银烧结合金而不是焊接,烧结连接熔点更高,这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多,功率模块的热循环能力可增加5倍。
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