有压烧结银加压烧结银膏烧结银研发

有压烧结银是一种常见的半导体封装材料，压烧结银的工艺非常复杂，需要考虑到不同的因素，如热量、熔融银的温度、模具的造型等。这种工艺需要熟练的技艺，可以制作出精美的饰品。

基于以上两款焊料的不足，烧结银产品应运而生，烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题，具有导热系数高，剪切强度大，生产，无铅化、免清洗等特点，是第三代半导体封装的理想焊接材料。

有压烧结银对于一些功率器件的封装来说是非常的有效的。同时，这个烧结可以用在比较要规模的封装之上。银烧结可以用到我们的功率元件和一些LED方面，比如激光器件也会用烧结银。

预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒； 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。

善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高和压力加大，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显；

与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着增大，280℃烧结银的热导率已达到266W/(m·K)。