MOS管烧结银替代德国烧结银三代半加压烧结银

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而在电动车辆中,电力电子器件节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求,传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要,

烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升5倍,国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术,银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.

目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段,纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比:

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