R-N 4340 化学放大胶,紫外曝光,可做lift-off工艺
i线、g线曝光。化学放大胶,高灵敏度,高分辨率,高对比度,在金属和氧化物表面附着力好,可用于lift-off工艺。
AR-N 4400 厚胶,化学放大胶,可以做lift-off工艺
i线、g线、深紫外、X-ray、电子束等都可以实现曝光。涂胶厚度从几十微米到上百微米,覆盖能力好,可用于表面粗糙的wafer表面涂覆,且剖面陡直,高分辨率。化学放大胶,灵敏度也非常高。可用于LIGA、电镀等工艺。采用碱性水溶液显影,除胶非常容易,可以提到传统的SU8胶。
AR-P 6200 分辨率、高耐刻蚀电子束正胶
高分辨率,通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。高深宽比(可达20:1),高对比度(>15)。良好的耐干法刻蚀性能,是PMMA胶的2倍。完全可以取代ZEP胶,经济实惠,并且采购简单,包装规格多样化。