肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
肖特基二极管的特之处在于其快速的反向恢复时间,可在几纳秒的范围内。同时,它的正向电流也能达到儿千安培,具备大电流、低功耗、速等特性。相较于传统PN结二极管,肖特基二极管的正向压降(UDF)只有后者的一半至三分之一,trr(反向恢复时间)约为10纳秒,使其在特定应用中表现出色。
对于点接触型肖特基二极管,它在微波通信电路方面具有重要地位。此外,铝硅肖特基二极管在高频电路中扮演着检波和鉴频的角色,取代了传统的检波二极管。需要注意的是,肖特基二极管的反向耐压相对较低,不适用于高反压电路。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
面结合型管性能要优于点接触管,
主要原因在于:
1) 点接触管表面不易清洁,针点压力会造成半导体表面畸变。其接触势垒不是理想的肖特基势垒受到机械震动时还会产生颤抖噪声。面结合型管金半接触界面比较平整不暴露而较易清洁其接触势垒几乎是理想的肖特基势垒。
2) 不同的点接触管在生产时压接压力不同使得肖特基结的直径不同。因此性能一致性差可靠性也差。
对于低压大电流的高频整流,肖特基二极管是佳的选择(这时由于其反向耐压较低),常用的是作为±5V、±12V、±15V的整流输出管。(如计算机电源的+5V输出大多采用SR3040,+12V输出采用SR1660)再加上肖特基二极管的正向压降VF与结温TJ呈现负温度系数,所以用其制造的开关电源,温升低,噪声小,可靠性高。