1降低综合成本:可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件,并且帮助客户每千瓦成本降低40%以上。
多样化了的车载功率半导体,尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加,为了应对这个问题,就要求封装实现(1)低电阻、(2)高散热、(3)高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。
当前功率半导体行业正在面临SiC和GaN等宽禁带半导体强势崛起,随着电动汽车市场的增量放大,消费者对汽车的高续航、超快充等要求越来越高,电力电子模块的功率密度、工作温度及可靠性的要求也在越来越复杂,封装成了提升可靠性和性能的关键。封装是承载器件的载体,也是SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。