闵行供应SiC碳化硅烧结银膏
| 供应商 | 善仁（浙江）新材料科技有限公司 店铺 |
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| 认证 | |
| 报价 | 人民币 1900.00元 |
| 粘合材料类型 | 金属类 |
| 关键词 | SiC碳化硅烧结银膏 |
| 手机号 | 13611616628 |
| 总监 | 刘志联系时请一定说明在黄页88网看到 |
| 所在地 | 嘉善县姚庄镇宝群东路159号－2二层 |
| 更新时间 | 2024-11-12 05:05:04 |
详细介绍
由于现有封装技术的限制，特别是芯片与基板的互连技术，例如银浆、聚合物材料，软钎焊等互连技术由于焊料合金的低熔点、环氧树脂的低温分解等原因，使其不能在高温环境下可靠工作，导致限制电力电子系统性能和可靠性的瓶颈从半导体芯片转移到了封装技术上来。
纳米烧结银互连层的工艺改进
善仁新材研究院比较了加压微米烧结银和无外加压力纳米烧结银，通过实验发现纳米尺度下的银具有比微米尺度下更高的烧结驱动力，避免了压力烧结条件下对芯片和基板中造成缺陷和裂纹等现象，并发现了烧结温度和烧结压强的增加会降低烧结银的孔隙大小，AS9375无压烧结银的纳米银互连层的结合强度可达45MPa。
纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系，采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片，几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片，空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成，在250℃烧结时，空隙会很少。
关键词：SiC碳化硅烧结银膏