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原理编辑，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，TD-800型软轴提拉型单晶炉，是根据用户实际需求研发的新产品。是在流动惰性气体环境中，以石墨电阻加热器，将硅半导体材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。它可以生产大规模太阳能电池、集成电路所需要的硅单晶。单晶炉主机系统包括：底座立柱、坩埚驱动装置、主炉室、翻板阀室，副炉室，籽晶提升与旋转机构、液压驱动装置、真空系统，充气系统及水冷系统。炉室结构为顶升式，主炉室和副炉室开启时由液压传动装置实现上移。炉室和副炉室之间，设有浮动式翻板阀室，可在现场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。

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D． 罩式炉（主要用于退火，加热罩可吊移） 　　E． 底升式罩式炉（罩子固定，升降底座，适用于大型炉子） 　　F． 转筒式炉 　　G． 密封箱式炉（又称为多用炉，可进行渗碳、光洁淬火、碳氮共渗等热处理工艺。采用辐射管加热，辐射管是由耐火陶瓷盘固定的电阻丝装于一个密封耐热钢管中，这样的结构使炉内气氛对加热元件不会有影响）4． 连续式电阻炉　　A． 推送式炉 　　B． 传送带式炉 　　C． 网带炉（适用于薄小零件的退火、烧结、钎焊及固溶处理。

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