高温抗氧化氮化硅陶瓷螺纹件

氮化硅陶瓷应用范围

氮化硅Si3N4陶瓷材料具有强度高、热稳定和化学稳定性好等优点,且与石英、BN等复合后能够获得良好的介电性能,适合用作透波陶瓷材料,以Si3N4为基本组成的陶瓷天线罩陶瓷材料成为各国研究的之一,波音公司利用反应烧结Si3N4的密度可控性,研制了多倍频程宽带天线罩其罩壁结构为两层,表层为较薄的高密度Si3N4陶瓷材料这种高密度、高介电常数表层与低密度、低介电常数芯层的组合,可使天线罩在宽频带范围内满足电性能要求。

氮化硅陶瓷物理特性
Si3N4有两种晶型，即α—Si3N4(颗粒状晶体)和β一Si3N4(长柱状或针状晶体)，均属六方晶系，都是由[SiN4】四面体共用顶角构成的三维空间网络且相是由几乎完全对称的六个[SiN4】组成的六方环层在c轴方向重叠而成而α相是由两层不同且有变形的非六方环层重叠而成α相结构对称性低，内部应变比β相大，故自由能比β相高，α相在较高温度下(1400℃～1600℃)可转变为β相因此有人将α—Si3N4称为低温型，是不稳定的，β—Si3N4为高温型，是稳定的。
氮化硅陶瓷能抵御热冷冲击性，在空气中加温到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加温，也不会破裂。
氮化硅陶瓷属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上。

氮化硅陶瓷化学特性
氮化硅高温氧化受温度和氧分压影响根 据氧分压的不同, 可分为惰性氧化( PassiveOxida- ion)和活性氧化(
Active Oxidation)两类惰性氧 化生成 iO2,试样质量增加; 活性氧化生成 3SiO2 3SiO2 3SiO( 方程式进行,活性氧化按 方程式(
进行有学者通过实验证明,氮化硅 高温氧化, i2N2 212氮化硅陶瓷在碳酸钠熔盐中的腐蚀 Schlicht ing 11]等人研究了氮化硅
陶瓷在碳酸钠中的熔盐腐蚀。

密度：3.1-3.3，抗弯强度：600-800MPa，颜色：黑灰色，纯度：99.9%

制造商：海合氮化硅，特性：频绝缘陶瓷，微观结构：多晶，形状：片形

功能：夹持用陶瓷，产品参数：70*10*10MM，价格：50元/件，产地：新疆哈密市