基于以上两款焊料的不足,烧结银产品应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。有压烧结银AS9385工艺流程: 清洁粘结界面;界面表面能太低,建议增加界面表面能;粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀;另外一个界面放烧结银上时,建议加一点压力到上界面压一下; 预烘阶段:150度20-30分钟,界面是铜的基底建议氮气保护(金或者银除外)
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