转速模块P0926JM

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Siemens Simadyn D Koppelspeicherbaugruppe 6DD1642-0BC0 EA12
Siemens Simadyn D E10112-A0401-H48 
Siemens Simadyn D Panel OP1 , 6dd1670-0af0
Siemens Simadyn D 6DD1640-0AC0
Siemens Simadyn D MM11 Koppelspeichermodul 6DD1611-0AD0
Siemens Simadyn D 6DD1640-0AC0
Siemens Simadyn D Baugruppe 6DD1648-0AB0
Siemens Simadyn D Baugruppe 6DD1648-0AB0
T500 Siemens Simadyn D E10 112-A0401-H48
Siemens Simadyn D PM12,6DD1600-0AE2,6DD1 600-0AE2
Siemens Simadyn D PM12,6DD1600-0AE2,6DD1 600-0AE2
Siemens Simadyn D 6DD1640-0AC0 
Siemens Simadyn D 6DD1642-0BC0 
Siemens Simadyn D 6DD1611-0AD0 
Siemens MM21 Simadyn D Modul 6DD1611-0AE0/6DD16110AE0
Siemens Simadyn D 6DD1601-0AD1
Siemens Simadyn D 6DD1660-0AK0
Siemens Simadyn D Binaere Eingabe SB61 6DD1681-0EB3 
Siemens Simadyn D 6DD1601-0AD1 
Siemens Simadyn D Kommunikationssubmodul 6DD1688-0AE0
Siemens Simadyn D SRT 400 SRT400+6SE7090-0XX84-0KA0 + 6SE7090-0XX84-0FF5 
Siemens Simadyn D Parallel Programmer PP1I 6DD1672-0AF0
Siemens 6DD1681-0EB2 
Siemens Simadyn D 6DD1640-0AC0

从事新兴存储技术的开发人员会对能够通过二极管进行选择的技术感到非常兴奋，这是一种可以减小尺寸和成本的方法，因为芯片的成本与其面积成正比。不幸的是，大多数新兴存储技术需要正向电流写入和反向电流擦除，因此简单的二极管将无法工作。业界正在开发双向选择器，但另一个问题会妨碍它们，是什么呢？下文会讨论到。

PCM似乎在这方面具有优势。正如将在下文解释的那样，PCM编程并用正向电流擦除，因此只需要一个简单的二极管作为PCM单元的选择器。英特尔FellowAlFazio是3DXPoint存储技术的教父，他在3DXPoint发布前两年宣传了这一观点。然而，这似乎还不够，需要更多的东西。

选择器很难做到正确。当3DXPoint于2015年推出时，Micron的ScottdeBoer表示，您可以用几乎任何材料制作ReRAM的位单元，但选择器却是个棘手问题。

那么双向选择器有什么用呢？如果选择器的“开”与“关”电阻的比率为100：1，并且有100条通往位线的潜行路径，那么来自100条潜行路径的电流将等于来自合法路径的电流。在大型阵列中，这几乎肯定会发生。选择器具有更好的执行能力。然而，在大多数情况下，晶体管提供更好的开/关比，并且允许双向电流通过，因此它就成为了必要的“恶魔”。

所有这些都是为了解释选择器对存储器阵列面积有显着影响，且阵列的成本与其面积成正比。因此，与使用三端选择器的存储器相比，可以使用具有双端选择器的存储器，这样更有机会与现有成熟的存储器竞争。