新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术,
可实现高可靠、高导电的连接的需求,很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模组制造商,在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银DTS技术,
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类,二者集成为功率模块(包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块)。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高,当前的封装材料已经达到了应用极限。
使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可以超过200°C。因此,GVF预烧结银焊片可以大幅降低功率限额,或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸,从而降低电力成本。
SHAREX的预烧结银焊片GVF9800(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)是结合了烧结银,铜箔和其他材料的一种复合材料,由以下四个部分组成:具有键合功能的铜箔;预涂布AS9385系列烧结银;烧结前可选用临时固定的胶粘剂;保护膜或者承载物。
在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景,接下来将逐步打开更大的发展空间。