徐州供应晶圆扶梯晶圆读号器

IC 制造过程各种工艺前都需要进行晶圆的传输、定位和姿态调整。晶圆升降机构就是品圆自动传输系统重要组成部分之一。其速度、重复定位精度将直接或间接影响 IC 的生产效率和制造质量。研究、高速度、高稳定性的新型晶圆升降机构可以提高生产效率和制造质量，为 IC 制造提供有力保障。

晶圆升降机构中的真空吸附系统是用来吸附和释放品圆，从而进行晶圆的检测和传输，以便实现传输的。机构要求晶圆定位精度高，真空吸附系统在吸附和释放晶圆过程中尽量减小冲击，要求吸附的时候应当缓慢地增加或减小真空压力，使得压力变化为斜坡变化，大限度减小晶圆在真空吸附下精度的损失。

晶圆上表面有定位用的标识，晶圆在预对准阶段确定好了与传输机械手的相对位置，经过升降机构到达工件台吸盘上，为了检测标识位需要其与吸盘相对位置是固定的。因此要求升降机构在圆周方向上不存在转动。同时光栅传感器安装要求光栅尺与读数头相对位置在+0.1mm。防转装置能机构运动圆周方向相对位置，晶圆传输的精度。

晶圆升降系统是半导体制造中重要的工艺设备之一，常规的晶圆升降系统通常有两种：其中一种晶圆升降系统包括：顶针、静电吸盘、组合支架及三个升降气缸，所述顶针通过所述组合支架固定在所述升降气缸上，当所述顶针托载晶圆时，所述升降气缸可以控制组合支架及托载晶圆的所述顶针相对静电吸盘上升或者下降一定的高度。但是，当组合支架使用时间过长时容易损坏，导致顶针，下降的高度不够，使得顶针与晶圆的背面的间距过小，进而导致晶圆上累积的电荷在该顶针区域局部放电起辉造成放电，从而导致晶圆良率损失。

另一种晶圆升降系统包括三个顶针、静电吸盘及三个升降气缸，一个升降气缸控制一个顶针的升降，采用该装置进行晶圆升降时发现，由于顶针的上升受升降气缸压力波动的影响，导致三个顶针的下降高度存在差异，使得其中某个顶针与晶圆的背面的间距过小，进而导致晶圆上累积的电荷在该顶针区域局部放电起辉造成放电，从而导致晶圆良率损失。

晶圆升降装置，包括静电卡盘及位于静电卡盘下方的多个升降组件，静电卡盘上放置有一晶圆，每个升降组件均包括驱动单元、位移监测单元及顶针，驱动单元与顶针连接并驱动顶针上升或下降以顶起或远离晶圆，位移监测单元位于驱动单元上，并用于监测顶针上升或下降的高度并反馈给驱动单元。

晶圆测试用升降机构，包括底座、托板，其特征是，底座上固定连接有若干个升降滑轨座，托板可升降连接在升降滑轨座上，底座上可滑动连接支撑座，支撑座设置在托板下方，支撑座上固定连接有丝杆螺母，底座上安装有驱动电机，驱动电机输出轴传动连接丝杆，丝杆与丝杆螺母配合连接，支撑座上设有斜块，斜块上端面为倾斜平面；托板上安装有滚轮，滚轮抵接在斜块上端面上，托板和底座之间安装有托板位移测量用光栅尺，驱动电机电连接编码器，光栅尺电连接编码器。

集成电路行业发展迅速，对芯片产品的良率要求日益增高，晶圆测试能够在芯片未进行切割、引线、封装等多重后道工序加工前进行测试，减少不良品在后续加工中的严重浪费，所以急需晶圆测试设备达到高速、、高稳定性的要求。晶圆测试设备达到高速、、高稳定性的要求关键在于升降机构。目前晶圆测试装备采用的升降机构顶升力较小，顶升稳定性较差，精度低，而且有些顶升机构结构复杂，制造成本尚。

晶圆生产过程中，需要采用多种工艺进行处理。处理工艺多是在设备内进行。如润湿处理，需在润湿槽内进行。电镀需要在电镀槽内进行。而现有技术中，将湿晶圆放入或取出处理装置的一系列工序都需人工操作，一方面会降低生产效率，提高生产成本，另一方面也会因人工操作不当导致晶圆的损坏，降低生产合格率。同时，人工操作所需空间大，空间利用率低。人工操作的另一个弊端是劳动强度大，效率低，无法满足大规模生产的需要。人工操作还会导致工人接触电镀液或润湿液而危害工人身体健康。
在制造IC的生产线中，已全面采用了计算机控制和机器人搬运。对于复杂的作人为失误在所难免，而且在洁净室中，即使操作者身着无尘服，也不免造成污染。采用计算机控制和机器人搬运，可提高产品质量和安全性，从而降低成本。