BLC10G19XS-551AVZ功率射频功放电压

  • 图片0
  • 图片1
  • 图片2
  • 图片3
  • 图片4
  • 图片5
1/6
新浪微博
QQ空间
豆瓣网
百度新首页
取消

BLC10G19XS-551AVZ典型性能:
非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main);VGS(amp)峰值= 0.85 V,除非另有说明。

BLC10G19XS-551AVZ特性:
7.集成ESD保护
8.有关RoHS合规性
#BLC10G19XS-551AVZ

BLC10G19XS-551AVZ  功率LDMOS晶体管 Ampleon
BLC10G19XS-551AVZ 550w LDMOS封装的不对称Doherty功率晶体管,用于频率从1930 MHz到2000 MHz的基站应用。

BLC10G19XS-551AVZ特性:
1.的性
2.率
3.低耐热性,提供的热稳定性
4.更低的输出电容,提高了Doherty应用中的性能
5.专为低内存效应而设计,提供数字预失真能力
6.内部匹配,便于使用
7.集成ESD保护
8.有关RoHS合规性

Doherty操作的坚固性
BLC10G19XS-551AV在VOS=30V的条件下,能承受与VSWR=10:1相对应的负载失配:

LD q=370毫安峰值电压为0.85V;f=1930兆赫;PL=195瓦(5dBOBO)单载波W-CDMA;3GPP测试模型1;64DPCH;在CCDF上0.01%的概率下,PAR=7.2 dB。

深圳市亿胜盈科科技有限公司为你提供的“BLC10G19XS-551AVZ功率射频功放电压”详细介绍
在线留言

推荐信息

中山电子有源器件>中山专用集成电路>BLC10G
信息由发布人自行提供,其真实性、合法性由发布人负责;交易汇款需谨慎,请注意调查核实。
触屏版 电脑版
@2009-2025 京ICP证100626