按输出形式分，可分为：
a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。
b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。
c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。
d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。
e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。
f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。
g、功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。
h, 光敏电阻型（通过光，控制输出电阻， 输出电阻可以双向， 可以交流， 改变了PC817之类只能一个方向的不便， 纯电阻材料， 无极性输出， 如LCR－0202）
按封装形式分，可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型
按传输信号分，可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。
按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。
按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。
按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。
按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）。
一、输入特性
光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：
1. 正向工作电压Vf（Forward Voltage）
Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。
2. 反向电压Vr（Reverse Voltage ）
是指LED所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。
3. 反向电流Ir（Reverse Current）
通常指在大反向电压情况下，流过LED的反向电流。
4. 允许功耗Pd（Maximum Power Dissipation）
LED所能承受的大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。
5. 中心波长λp（Peak Wave Length）
是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。
6. 正向工作电流If（Forward Current）
If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的大电流也会不一样。
7. 正向脉冲工作电流Ifp（Peak Forward Current）
Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。
二、输出特性
光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：
1. 集电极电流Ic（Collector Current）
光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其大值。
2. 集电极-发射极电压Vceo（C-E Voltage）
集电极-发射极所能承受的电压。
3. 发射极-集电极电压Veco（E-C Voltage）
发射极-集电极所能承受的电压
4. 反向截止电流Iceo
5. C-E饱和电压Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）
四、传输特性：
1．电流传输比CTR（Current Transfer Radio）
2．上升时间Tr （Rise Time）& 下降时间Tf（Fall Time）
其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。
三、隔离特性
1．入出间隔离电压Vio（Isolation Voltage）
光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。
2．入出间隔离电容Cio（Isolation Capacitance）：
光耦合器件输入端和输出端之间的电容值
3．入出间隔离电阻Rio：（Isolation Resistance）
半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
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