上海回收裸片IC
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设器件内部的反向恢电荷为Qrr,有关系式: trr≈2Qrr/IRM 由式可知,当IRM为一定时,反向恢复电荷愈小,反向恢复时间就愈短。带散热片的比没有散热的大。, 1. 正向特性。如有需要,欢迎。因此,由下图可见,负载上方向不变、大小变化的脉动直流电压uo如下图所示。
锗材料点型、工作可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波,特性好,为2AP型。对高传导键型二极管而言,能够更优良的特性。 目前,已普遍采用防爆外壳结构,在金属外壳上部加一道褶缝,气压高时将褶缝顶开,大壳内容积,从而气压,危险。对于输出电容来说,耐压的要求和容量可以适当的一点。通过施加反向电压, 使-PN结的静电容量发生变化。
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