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单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动，便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计，提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面，便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计，维护方便，可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制流量。真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，进一步为了避免下驱动装置受到外界震动的影响，进而保下驱动装置的工作精，所述底座和下驱动装置之间设置有减震装置，所述下驱动装置的底端设置有承载板，所述承载板通过少两个螺钉固定连接在底座上，所诉减震装置包括与螺钉分别一一对应的下减震橡胶垫和上减震橡胶垫，所述下减震橡胶垫套装在螺钉的下端部，所述下减震橡胶垫的底部和底座抵接，所述下减震橡胶垫的顶部和承载板抵接，以便于通过下橡胶减震垫吸收从外界传来的震动，以避免下驱动装置受到外界震动的影响，所述上减震橡胶垫套装在螺钉的上端部，且所述上减震橡胶垫与承载板的上端面压接，以避免螺钉的震动影响到承载板。

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直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限，引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种，具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权，是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的设备。装料量从95Kg～150Kg，可拉制6"～12"电路级和太阳能级单晶硅棒。