IAUS300N10S5N015TATMA1英飞凌MOS原装

12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”，指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS（开启）.第二类是“有源”，非常适合宽开关频率，并提供业界佳的品质因数（FOM）以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA80R600P7XKSA1
IPA80R650CEXKSA2
IPA80R900P7XKSA1
IPA90R1K2C3XKSA2
IPA90R340C3XKSA2
IPA95R450P7XKSA1
IPB011N04LGATMA1
IPB011N04NGATMA1
IPB015N04LGATMA1
IPB015N04NGATMA1
IPB015N08N5ATMA1
IPB017N10N5ATMA1
IPB019N08N5ATMA1
IPB020N04NGATMA1
IPB020N08N5ATMA1
IPB020N10N5ATMA1
IPB024N08N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1
IPB034N03LGATMA1
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P 沟道功率 MOSFET 应用
英飞凌为广泛的工业和汽车应用提供丰富的P沟道功率MOSFET产品组合。
工业应用
英飞凌广泛的 P 沟道功率 MOSFET 产品组合是各种工业应用的理想选择，包括B保护， 崇敬极性保护， 线性电池充电器， 负载开关，直流-直流转换器,车载充电器,电机控制和低压驱动应用.汽车应用
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R460CEXKSA1
IPA60R600CPXKSA1
IPA60R600E6XKSA1
IPA60R650CEXKSA1
IPA65R045C7XKSA1
IPA65R065C7XKSA1
IPA65R095C7XKSA1
IPA65R125C7XKSA1
IPA65R190C7XKSA1
IPA65R190E6XKSA1
IPA65R1K5CEXKSA1
IPA65R225C7XKSA1
IPA65R280E6XKSA1
IPA65R380E6XKSA1
IPA65R400CEXKSA1
IPA65R650CEXKSA1
IPA80R1K0CEXKSA2
IPA80R1K2P7XKSA1
IPA80R1K4CEXKSA2
IPA80R1K4P7XKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！

P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125CPXKSA1
IPA60R125P6XKSA1
IPA60R160C6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P7XKSA1
IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1
IPA60R280C6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1
IPA60R299CPXKSA1
IPA60R380E6XKSA1
IPA60R380P6XKSA1
IPA60R400CEXKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUT240N08S5N019
IAUT260N10S5N019
IAUT300N08S5N012
IAUT300N08S5N014
IAUT300N10S5N015
IGT40R070D1E8220
IGT60R070D1ATMA4
IPA083N10N5XKSA1
IPA50R140CPXKSA1
IPA50R199CPXKSA1
IPA50R250CPXKSA1
IPA50R280CEXKSA2
IPA50R350CPXKSA1
IPA50R380CEXKSA2
IPA50R500CEXKSA2
IPA50R520CPXKSA1
IPA50R650CEZKSA2
IPA50R800CEXKSA2
IPA50R950CEXKSA2
IPA60R080P7XKSA1
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英飞凌功率 MOSFET 产品组合为一系列应用提供的发电、电源和功耗解决方案，如太阳能微型逆变器、服务器、电信和电动车。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPD02N80C3ATMA1
SPD03N50C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1
SPD04N50C3ATMA1
SPD04N60C3ATMA1
SPD04N80C3ATMA1
SPD04P10PGBTMA1
SPD06N80C3ATMA1
SPD07N60C3ATMA1
SPD07N60S5BTMA1
SPD08P06PGBTMA1
SPD15P10PGBTMA1
SPD18P06PGBTMA1
SPD30N03S2L-07G
SPD30N03S2L-20G
SPD30P06PGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1
SPI07N65C3XKSA1
SPP06N60C3XKSA1
SPP06N80C3XKSA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

SPB80P06P-G描述：
P 沟道增强模式 场效应晶体管 （FET）， -60V， D2PAK
英飞凌高度创新的OptiMOS™系列包括p沟道功率MOSFET。这些产品始终如一地满足电源系统设计关键规格的和性能要求，例如导通电阻和品质因数特性。
功能摘要：
增强模式
雪崩等级
快速切换
额定分量/分吨
无铅镀铅
符合 RoHS 标准，无卤素
符合 AEC Q101 标准
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
ISC0806NLSATMA1
ISZ0501NLSATMA1
ISZ0602NLSATMA1
ISZ0703NLSATMA1
ISZ0803NLSATMA1
ISZ0804NLSATMA1
SPA06N80C3XKSA1
SPA07N60C3XKSA1
SPA08N50C3XKAS1
SPA08N80C3XKSA1
SPA11N65C3XKSA1
SPA11N80C3XKSA2
SPA17N80C3XKSA1
SPA20N60C3XKSA1
SPA20N65C3XKSA1
SPA21N50C3XKSA1
SPB03N60C3E3045
SPB18P06PGATMA1
SPB21N50C3ATMA1
SPB80P06PGATMA1
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