合成法可生产纯度高、杂质少、粒度细的硫化物,而且能制备出符合不同功能需求的硫化物,因此用合成法生产纳米硫化物一直倍受关注。纳米MoS2的制备方法有很多,如四硫代钼酸铵热分解法、硫化氢或硫蒸汽还原法、高能球磨法、碳纳米管空间限制法、水热合成法、高能物理手段和化学法结合等等。总体而言,制备方法有两种,可以直接将钨源或钼源与硫源反应得到纳米MoS2,或者先将钨源或钼源与硫源反应,得到前躯体,再将前躯体通过适当的方法分解或还原成MoS2。
二硫化钼不导电,存在二硫化钼、三硫化钼和三氧化钼的共聚物。当摩擦材料因摩擦而温度急剧升高时, 共聚物中的三氧化钼颗粒随着升温而膨胀,起到了增摩作用;
二硫化钼还可成为制作晶体管的新型材料。相较于同属二维材料的石墨烯,二硫化钼拥有1.8eV的能带隙,而石墨烯则不存在能带隙,因此,二硫化钼可能在纳米晶体管领域拥有很广阔的应用空间。 而且单层二硫化钼晶体管的电子迁移率高可达约500 cm^2/(V·s), 电流开关率达到1×10^8.
隔离泄漏污染区,限制出入。切断火源。建议应急处理人员戴防尘面具(全面罩),穿防毒服。避免扬尘,小心扫起,置于袋中转移至安全场所。若大量泄漏,用塑料布、帆布覆盖。收集回收或运至废物处理场所处置。
储存于阴凉、通风的库房。远离火种、热源。应与氧化剂等分开存放,切忌混储。配备相应品种和数量的消防器材。储区应备有合适的材料收容泄漏物。
起运时包装要完整,装载应稳妥。运输过程中要确保容器不泄漏、不倒塌、不坠落、不损坏。严禁与氧化剂等混装混运。运输途中应防曝晒、雨淋,防高温。
让电子制造者惊喜的是,所有TMDs均是半导体。它们和石墨烯的薄度近乎相同(在二硫化钼中,两层硫原子把一层钼原子像“三明治”那样夹在中间),但是它们却有其他优点。就二硫化钼而言,优点之一是电子在平面薄片中的运行速度,即电子迁移率。二硫化钼的电子迁移速率大约是100cm2/vs(即每平方厘米每伏秒通过100个电子),这远低于晶体硅的电子迁移速率1400 cm2/vs ,但是比非晶硅和其他超薄半导体的迁移速度更好,科学家正在研究这些材料,使其用于未来电子产品,如柔性显示屏和其他可以灵活伸展的电子产品。