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系统级封装（system in package，SIP）是一种新型的封装技术，在IC封装领域，SIP是的封装。在ITRS2005中对SIP的定义是：“SIP是采用任何组合，将多个具有不同功能的有源电子器件与可选择的无源元件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件，组装成为可以提供多种功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统”。对于SIP而言，在单一的模块内需要集成不同的有源芯片和无源元件、非硅器件、MEMS元件甚至光电芯片等，更长远的目标则考虑在其中集成生物芯片等。目前在无线通讯领域内特别是在3G领域内，SIP是非常有潜力的技术。

SIP的应用



SIP是IC封装领域的的一种新型封装技术，目前已经被广泛应用在手机、蓝牙、Wi-Fi和交换机等无线通讯领域，在汽车电子、医疗电子、消费类电子、军事电子等领域内都有一定的市场。虽然当前其份额还不是很大，但已经成为一种人们关注和发展迅速的封装技术。


（1）无线通讯领域

SIP的应用领域比较广泛，在无线通讯应用与研究方面为。特别是在射频范围内SIP技术是一种理想的系统解决方案。其中，早商业化的SIP模块电路是手机中的功率放大器，这类模块中可集成多频功放、功率控制及收发转换开关等功能。

IGBT 的导通和关断由栅-射极（即上图中源极）电压 UGE 控制。其工作原理是栅极电压 UGE 为正向电压且 大于开启电压时，IGBT 中的 MOSFET 部分形成沟道，提供基极电流，器件导通，IC和 UGE大部分保持线性； 而在栅极加零或负电压时，沟道消失，基极电流为 0，IGBT 关断。IGBT 导通电阻的降低是因为 PNPN 四层结 构带来的 PN 结电导调制效应。静态电气特性方面高栅-射极电压受大集电极电流限制，饱和区类似 MOS 结构特性有源区类似于晶体管特性，所以 IGBT 主要工作在饱和区（开）和正向阻断区（关）；而动态电气特性 方面，器件导通需要经历栅极正向电压-基极电流产生-集电极电流产生的过程，故有两次延迟；器件关断时因为 没有反向基极电流抽取过量载流子，故只能通过集电极传导，形成拖尾电流。综上，IGBT 可以满足逆变的基本 需求，但开关速度、开关损耗等存在一定劣势。当前硅基 IGBT 系统的综合效率（以逆变器效率计）约 92%， 相比于其峰值效率仍有一定差距。