器件和组件,比如POP、SIP、IG BT、PCBA,清洗主要是为了去除在焊接中所产生的焊剂或焊膏的残余物、污垢。要针对焊接所用的焊膏和锡膏的可清洗性进行水基清洗剂的选型和匹配,在常规工艺条件或者特定工艺条件下面进行测试,水基清洗剂能够将焊剂和焊膏残余物能够清除而达到干净度的要求。
匹配性很重要,既要考虑残留物的可清洗性,同时也要考虑水基清洗剂的清洗能力和力度。在预设的工艺条件下面,污垢能清除干净,才能达到首要的技术指标。
IGBT 的导通和关断由栅-射极(即上图中源极)电压 UGE 控制。其工作原理是栅极电压 UGE 为正向电压且 大于开启电压时,IGBT 中的 MOSFET 部分形成沟道,提供基极电流,器件导通,IC和 UGE大部分保持线性; 而在栅极加零或负电压时,沟道消失,基极电流为 0,IGBT 关断。IGBT 导通电阻的降低是因为 PNPN 四层结 构带来的 PN 结电导调制效应。静态电气特性方面高栅-射极电压受大集电极电流限制,饱和区类似 MOS 结构特性有源区类似于晶体管特性,所以 IGBT 主要工作在饱和区(开)和正向阻断区(关);而动态电气特性 方面,器件导通需要经历栅极正向电压-基极电流产生-集电极电流产生的过程,故有两次延迟;器件关断时因为 没有反向基极电流抽取过量载流子,故只能通过集电极传导,形成拖尾电流。综上,IGBT 可以满足逆变的基本 需求,但开关速度、开关损耗等存在一定劣势。当前硅基 IGBT 系统的综合效率(以逆变器效率计)约 92%, 相比于其峰值效率仍有一定差距。