负性厚光刻胶

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• 减材制造和模具应用

• 硅的深度蚀刻，例如博世工艺、玻璃和聚合物

• 硅胶压印压花模具

• 添加剂应用

• 高深宽比电镀，用于制造倒装芯片封装、多芯片模块、MEMS、传感器、薄膜磁头的凸块

• 减材和模具应用的特性

• 在 RIE 处理和离子铣削中具有出色的耐高温性

• 深蚀刻中的选择性优于正性光刻胶

• 对波长短于 380nm 的敏感度

• 添加剂应用特性

• 电镀时附着力

• 电镀后可使用 Futurrex 光刻胶剥离剂轻松去除

• 对波长短于 380nm 的敏感度

• 对生产力的影响

• 无需溶剂型显影和溶剂型冲洗处理步骤

• 特征

• 对表面拓扑的出色线宽控制

• 直侧壁，适合任何薄膜厚度

• 一次旋涂即可涂出 100 μm 厚的薄膜

• 厚膜应用中具有出色的分辨率能力

• 的感光速度，提高曝光量

• 有利于提高 RIE/离子铣削的功率密度，从而提高蚀刻速率和蚀刻产量

• 使用同一种显影剂同时显影负性光刻胶和正性光刻胶

• 无需使用粘合促进剂