Inlens 探测器均放置 在镜筒内正光轴上, 在减少重新校准耗时 的同时有效地缩短了获取图像的时间。 Gemini 电子束推进器技术可以在非常 低的加速电压下仍获得小束斑和高信噪比。
此外, 它确保了电子束在镜筒中运动时始 终保持高加速电压, 直至出镜筒后才减速 至设定电压, 更大程度地减小外部杂散磁 场对系统灵敏度的影响。GeminiSEM 360 、 GeminiSEM 460 和 GeminiSEM 560 三 者 均 应用了 Gemini 设计、 Inlens 探测器和电子 束推进器技术。
Gemini 2 型电子光学镜筒让 GeminiSEM 460 成为高束流下获取高分辨率成像和快速 分析的理想之选。另外,它还集上一代 Gemini 光学系统的所有优势于一身。例如, 确保了大视野范围内的无畸变 EBSD 分析和 高分辨率成像的物镜无漏磁设计。
因此您也能够在不影响电子光学性能的前 提下倾斜样品, 甚至还能轻松完成磁性样 品成像。
Gemini 3 型镜筒介绍
Gemini 3 型镜筒是专为表面灵敏成像领域 的苛刻任务而设计,它确保成像在 1 kV 至 30 kV 的所有工作条件下都能达到高分 辨率。它由两个协同工作的组件组成,即 Nano-twin 物镜和智能自动光路调节—— 它 们组成一个全新的电子光学引擎。 BSE 的优 势也可以为您提供良好的图像衬度,让您可 以从样品中提取出尽可能多的信息。
Nano-twin 物镜
Nano-twin 物镜是一种在低加速电压条件下 工作的电镜( EM ) 物镜。通过优化几何结 构和静电场及磁场分布, 获得出色的信号 探测效率, 从而可以在低电压下达到亚纳 米级分辨率。具体来说, 与标准的 Gemini 物镜相比,它在低电压下的像差降低了 3 倍。这使得样品上的磁场降低了 3 倍, 约 为 1mT ,并能够进行 1kV 以下亚纳米成像, 而无需将样品浸没在电磁场中。
智能自动光路调节优化了通过镜筒的电子轨 迹,从而确保了在每个加速电压下尽可能高 的分辨率。它还引入了新的自动功能,在整 个放大倍数范围内(从 1 倍到 2,000,000 倍) 实现无缝对准自由切换,并将观察视野增 加了 10 倍,从而可以在单幅图像中完整成 像 13 厘米的物体。GeminiSEM 560 保持了 市场上尺寸达 32k × 24k 的超大图像存储像素, 在大视野无畸变拼接成像方面优势。
全套探测系统: 根据出射能量和出射角选 择性地探测样品的电子
GeminiSEM 系列的全套探测系统有大量不同 的探测器可供选配。通过组合 EsB (能量选 择背散射) 探测器、 Inlens 二次电子探测器 及 AsB (角度选择背散射) 探测器获取样品 材料、表面形貌或结晶度的信息。入射电子 与样品作用后可产生二次电子( SE ) 和背散 射电子( BSE )。从纳米级样品表面逃逸出的、 能量小于 50 eV 的二次电子可用来表征样 品的表面形貌。这些二次电子可通过特设 计的电子束推进器向后加速进入镜筒,并经 Gemini 物镜投射到环形 Inlens 二次电子探测 器里。 GeminiSEM 可根据样品的表面条件在 宽角度范围内探测二次电子。