大连新款电子元器件芯引力电子BOM配单定制 晶振芯引力

水泥电阻，熔断电阻器的检测，贴片电容芯引力电子
水泥电阻的检测
检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。
熔断电阻器的检测
在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C220KJHNNWE三星贴片电容1206 22 pF 2000V C0G ±10 %
CL31C220JIFNNNE三星贴片电容1206 22 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C220JIFNFNE三星贴片电容1206 22 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C220JHFNNNF三星贴片电容1206 22 pF 630V C0G ±5 %
CL31C220JHFNNNE三星贴片电容1206 22 pF 630V C0G ±5 %
CL31C220JHFNNCF三星贴片电容1206 22 ㎊ 630V C0G ±5 %
CL31C220JCCNNNC三星贴片电容1206 22 pF 100V C0G ±5 %
CL31C220JBCNNND三星贴片电容1206 22 pF 50V C0G ±5 %
CL31C220JBCNNNC三星贴片电容1206 22 pF 50V C0G ±5 %
CL31C200JBCNNNC三星贴片电容1206 20 pF 50V C0G ±5 %
CL31C1R8CBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C182JBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 nF 50V C0G ±5 %
CL31C182GBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 nF 50V C0G ±2 %
CL31C182FBCNNNC三星贴片电容1206 1.8 nF 50V C0G ±1 %
CL31C181JIHNNNE三星贴片电容1206 180 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C181JHFNNNE三星贴片电容1206 180 pF 630V C0G ±5 %
CL31C181JGFNFNE三星贴片电容1206 180 pF 500V C0G ±5 %
CL31C181JBCNNND三星贴片电容1206 180 pF 50V C0G ±5 %
CL31C181JBCNNNC三星贴片电容1206 180 pF 50V C0G ±5 %
CL31C180JBCNNNC三星贴片电容1206 18 pF 50V C0G ±5 %
CL31C152JHHNNNE三星贴片电容1206 1.5 nF 630V C0G ±5 %
CL31C152JHHNFNE三星贴片电容1206 1.5 nF 630V C0G ±5 %
CL31C152JDFNNNE三星贴片电容1206 1.5 nF 200V C0G ±5 %
CL31C152JCCNNNC三星贴片电容1206 1.5 nF 100V C0G ±5 %
CL31C152JBCNNNC三星贴片电容1206 1.5 nF 50V C0G ±5 %
CL31C152GBCNNWC三星贴片电容1206 1.5 nF 50V C0G ±2 %
CL31C151KBCNBNC三星贴片电容1206 150 pF 50V C0G ±10 %
CL31C151JIFNNNE三星贴片电容1206 150 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C151JHFNNNF三星贴片电容1206 150 pF 630V C0G ±5 %
CL31C151JHFNNNE三星贴片电容1206 150 pF 630V C0G ±5 %
CL31C151JHFNFNE三星贴片电容1206 150 pF 630V C0G ±5 %
CL31C151JGFNNNE三星贴片电容1206 150 pF 500V C0G ±5 %
CL31C151JBCNNNC三星贴片电容1206 150 pF 50V C0G ±5 %

贴片电容有无规范命名方法？如何定义？电子元器件芯引力电子BOM表配单总汇：
　　贴片电容的命名，国内和国外的产家有一些区别但所包含的参数是一样的
　　贴片电容的命名所包含的参数：
　　1贴片电容的尺寸（0201，0402，0603，0805，1206，1210，1808，1812，2220，2225
　　2贴片电容的材质（COG，X7R，Y5V，Z5U，）
　　3要求达到精度（±0.1PF,±0.25PF,±0.5PF,5%,10%、20%）
　　4电压 4V`6.3V`10V`16V`25V`50V`100V`250V`500V`1000V`2000V`3000V
　　5容量 0PF-47UF
　　6端头的要求 N表示三层电极）
　　7包装的要求 T表示编带包装，P表示散包装）
　　国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）依次分别代表名称、资料、分类和序号。
　　部分：名称，用字母表示，电容器用C
　　第二部分：资料，用字母表示。
　　第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
　　第四部分：序号，用数字表示。
　　用字母表示产品的资料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它资料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
　　例贴片电容的命名：
　　0805CG102J500NT
　　0805指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸（换算成mm=0.08*25.40=1.96mm05表示宽度为0.05英寸（换算成mm=0.05*25.40=1.225mm
　　CG表示生产电容要求用的材质，
　　102指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10102也就是=1000PF
　　J要求电容的容量值达到误差精度为5%,介质资料和误差精度是配对的
　　500要求电容承受的耐压为50V同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
　　N指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）镍、锡
　　T指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B476MQJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B476MPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±20 %
CL32B476KPJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±10 %
CL32B475KOINNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KOINNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KCVZW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZ3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJSW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V ±10 %
CL32B475KBJNNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %

深圳市芯引力电子科技有限公司
主营产品：贴片电容、贴片钽电容、贴片电阻、贴片电感、贴片二极管、贴片三极管等等电子元器件BOM配单。
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CL43B474KCHNNWE三星贴片电容1812 470 nF 100V X7R ±10 %
CL43B474KCHNNNE三星贴片电容1812 470 nF 100V X7R ±10 %
CL43B474KBFNNNE三星贴片电容1812 470 nF 50V X7R ±10 %
CL43B334KCFNNNE三星贴片电容1812 330 nF 100V X7R ±10 %
CL43B334KBFNNNF三星贴片电容1812 330 nF 50V X7R ±10 %
CL43B334KBFNNNE三星贴片电容1812 330 nF 50V X7R ±10 %
CL43B226KPJNNNF三星贴片电容1812 22 uF 10V X7R ±10 %
CL43B224KEJNNWF三星贴片电容1812 220 nF 250V X7R ±10 %
CL43B224KEJNNWE三星贴片电容1812 220 nF 250V X7R ±10 %
CL43B224KBFNNNE三星贴片电容1812 220 nF 50V X7R ±10 %
CL43B223KIJNNWF三星贴片电容1812 22 nF 1000V X7R ±10 %
CL43B223KGFNNNE三星贴片电容1812 22 nF 500V X7R ±10 %
CL43B106KALNNNF三星贴片电容1812 10 uF 25V X7R ±10 %
CL43B106KAJNNNF三星贴片电容1812 10 uF 25V X7R ±10 %
CL43B106KAJNNNE三星贴片电容1812 10 uF 25V X7R ±10 %
CL43B105KCJNNNF三星贴片电容1812 1 uF 100V X7R ±10 %
CL43B105KBFNNNF三星贴片电容1812 1 uF 50V X7R ±10 %
CL43B105KBFNNNE三星贴片电容1812 1 uF 50V X7R ±10 %
CL43B104KGINNNF三星贴片电容1812 100 nF 500V X7R ±10 %
CL43B104KGINNNE三星贴片电容1812 100 nF 500V X7R ±10 %
CL43B104KDFNNWE三星贴片电容1812 100 nF 200V X7R ±10 %
CL43B104KDFNNNE三星贴片电容1812 100 nF 200V X7R ±10 %
CL43B104KCFNNNF三星贴片电容1812 100 nF 100V X7R ±10 %
CL43B104KCFNNNE三星贴片电容1812 100 nF 100V X7R ±10 %