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mems光开关芯片

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BESOI,是通过键合技术把两片晶圆紧密键合在一起,晶圆与晶圆之间形成二氧化硅层,作为氧化物埋层,再利用回刻技术把一侧的晶圆的厚度削薄到所要求的厚度后形成SOI晶圆。
高集成化光开关,作为实现全光交换功能的核心部件,目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈,导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
mems光开关芯片
NxN可定制通道
提供差损类型,差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
mems光开关芯片
品名称:NxN速光开关
产品简介:
高速铌酸速光开光具有的开关速度(标准产品是10ns,速产品为<100ps),较低的插损(标准插损3.5dB,插损型号为2dB),高开关速率为亚纳秒,标准产品为10ns开关速率,产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制!
mems光开关芯片
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
光电倍增管Photomultiplier Modules
产品特性:
两种波段可选:280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口组件
具有防静电和消磁作用
变换增益:阳电流1 V/μA
链构型环形电
封装与SM1螺纹匹配
封装含4个螺纹孔,与ER系列笼杆匹配
支杆可安装于3种不同组件
120V电源供应(230V可选)
SMA输出

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