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WNM3032是单N通道,30V,9.6A,功率MOSFET
产品描述:
WNM3032是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用的沟槽技术并设计为提供的低门RDS(ON)充电。
该装置适用于直流-直流系统转换、电源开关和充电电路。
标准产品WNM3032无铅。
产品特征:
沟槽技术
密度电池设计
良好的导通电阻,更高的直流电流
极低阈值电压
小包装SOP-8L
韦尔MOSFET
产品应用:
继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器
DC-DC变换电路
电源开关
负荷开关
充电</a>