安徽8TLJJMICRO放电管,陶瓷放电管

通流能力

气体放电管>压敏电阻>TVS管

TVS管通常只有几百A，压敏电阻按不同规格可通过数KA到数十KA的单次8/20uS浪涌电流，气体放电管来说通常十KA级别8/20uS浪涌电流可导通数百次。

放电原理

TVS管基于二极管雪崩效应，压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用，而气体放电管则是基于气体击穿放电。

承压能力

TVS管通常为5.5V到550V，压敏电阻从10V到9000V，气体放电管从75V到3500V。

半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。
选用半导体放电管应注意以下几点：
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中，大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
特点编辑 语音
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低，可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。