富士电机自创业以来已有90余年,在这悠久的历史中,富士电机不断能源技术,在产业和社会领域中为世界作出贡献。中国与富士电机的渊源由来已久,可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的阀门水轮发电机。 如今,地球正因的人口激增和工业化的发展,面临着各种各样的能源问题和环境问题。即便是已经拥有性经济规模,每年保持快速增长的中国,也日益重视如何构筑一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。
FUJI富士电机作为IGBT硅片生产厂家,早将IGBT模块引入中国。经过十几年的不断发展,半导体器件已在国内UPS、电镀电源、变频器领域得到了广泛应用,已成为经典使用器件。
IGBT的主要I-V特性:
IGBT你既可以把它当做一个MOSFET与PiN二极管串联,也可以当做是一个宽基区的PNP被MOSFET驱动(Darlington结构), 前者可以用来理解它的特性,后者才是他的原理。它看起来就是一个MOSFET的I-V曲线往后挪了一段(>0.7V),因为沟道开启产生电流满足漂移区电流与漂移区电阻乘积超过0.7V,才能使得P+衬底与N-drift的PN结正向导通,这样才可以work,否则沟道开启也不能work的。
1) 代:他就是IGBT的雏形,简单的原理结构图那种,所以他要提高N-drift来提高耐压,所以导通电阻和关断功耗都比较高,所以没有普及使用。
2) 第二代:PT-IGBT,由于耗尽层不能穿透N+缓冲层,所以基区电场加强呈梯形分布,所以可以减小芯片厚度从而减小功耗。这主要是西门子公司1990~1995年的产品BSM150GB120DN1("DN1"就是代的意思)。它主要在600V上有优势(类似GTR特性),到1200V的时候遇到外延厚度大成本高、且可靠性低的问题(掺杂浓度以及厚度的均匀性差)。
3)第三代:NPT-IGBT,不再采用外延技术,而是采用离子注入的技术来生成P+集电极(透明集电极技术),可以的控制结深而控制发射效率尽可能低,增快载流子抽取速度来降低关断损耗,可以保持基区原有的载流子寿命而不会影响稳态功耗,同时具有正温度系数特点,所以技术比较成熟在稳态损耗和关断损耗间取得了很好的折中,所以被广泛采用。代表公司依然是西门子公司率先采用FZ(区熔法)代替外延的批量产品,代表产品BSM200GB120DN2,VCE>1200V, Vce(sat)=2.1V。
4)第四代:Trench-IGBT,大的改进是采用Trench结构,是的沟道从表面跑到了垂直面上,所以基区的PIN效应增强,栅极附近载流子浓度增大,从而提高了电导调制效应减小了导通电阻,同时由于沟道不在表面,所以消除了JFET效应,所以栅极密度增加不受限制,而且在第四代IGBT继续沿用了第三代的集电极P+implant技术同时加入了第二代的PT技术作为场终止层,有效特高耐压能力等。需要使用双注入技术,难度较大。这个时候是英飞凌的时代 了,Infineon的减薄技术世界,它的厚度在1200V的时候可以降低到120um~140um(NPT-IGBT需要200um),甚至在600V可以降低到70um。
5)第五代:FS-IGBT和第六代的FS-Trench,第五、第六代产品是在IGBT经历了上述四次技术改进实践后对各种技术措施的重新组合。第五代IGBT是第四代产品“透明集电区技术”与“电场中止技术”的组合。第六代产品是在第五代基础上改进了沟槽栅结构,并以新的面貌出现。
目前我国的总体能源利用效率为33%左右,比发达国家低约10个百分点。当前我国节能工作面临较大压力。根据“十一五规划”要求,到2010年中国的能源使用效率将在2005年基础上提高20%。在新能源领域,中国已成为太阳能电池生产的大国,风力发电的累计装机容量也连续4年实现翻番,这意味着中国新能源市场蕴藏着的商机。无论是太阳能电池、风力发电还是新能源汽车,其系统应用都需要把直流电转换为交流电,承担这一任务的部件称为逆变器。逆变器的核心器件是IGBT(绝缘栅双极型晶体管),也是价格高的部件之一,在国外,IGBT技术及产品不断更新换代,而我国目前还不具备大批量生产IGBT的能力,主要都是珠海南车、北车生产的用于高铁的IGBT技术,还有华润微电子(想收购Fairchild),还有华宏宏力貌似也有,现在国家扶持8寸的IGBT技术。
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