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WNM3400单N沟道,30V,5.2A,功率MOSFET
产品描述:
WNM3400是N沟道增强MOS场效应管。采用的沟槽技术和设计提供低栅极电荷的RDS(ON)。
本装置适用于DC-DC转换,电源开关和充电电路。
标准产品WNM3400是无铅
产品特征:
沟槽技术
密度电池设计
的导通电阻
极低阈值电压
小包装SOT-23
产品应用:
DC/DC转换器
电源转换器电路
便携式设备的负载/电源切换