IS61WV51216EDBLL-10TLISRAM存储器

特征

•高速访问时间：8、10、20 ns

•，低功耗CMOS工艺

•多个中心电源和接地引脚，可提供更大的

抗噪音

•通过CE和OE选项轻松扩展内存

•CE掉电

•完全静态操作：无时钟或刷新

需要

•TTL兼容输入和输出

•单电源

 – Vdd = 1.65V至2.2V（IS61WV51216EDALL）

 – Vdd = 2.4V至3.6V（IS61 / 64WV51216EDBLL）

•可用软件包：

– 48球miniBGA（6mm x 8mm）

– 44引脚TSOP（II型）

•工业和汽车温度支持

•无铅

•高低字节数据控制

描述

ISSI IS61WV51216EDALL和

IS61 / 64WV51216EDBLL是高速8M位静态

RAM按16位组织为512K字。它是捏造的

使用ISSI的CMOS技术。

这种高度可靠的过程加上创新

电路设计技术，可产生和

低功耗设备。

当CE为高（取消选择）时，设备假定

待机模式下功耗可以达到

降低了CMOS输入电平。

使用芯片启用功能可轻松扩展内存

和输出使能输入，CE和OE。主动

LOW Write Enable（WE）控制写入和读取

的内存。数据字节允许高字节（UB）

和低字节（LB）访问。

该器件采用JEDEC标准的44引脚封装

TSOP II型和48引脚迷你BGA（6mm x 8mm）