IPT60R125G7N沟道场效应晶体管/THV3543集成IC芯片

星际金华实业有限公司全新原装出售IPT60R125G7N沟道场效应晶体管/THV3543集成IC芯片！！！

批号：新18+
型号：IPT60R125G7
类型：N沟道场效应晶体管

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 125 毫欧 @ 6.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 320µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 27nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1080pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 120W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-HSOF-8-2
封装/外壳 8-PowerSFN

公司还以下型号：
511JBA233M250BAGR
MKL16Z32VLH4
CY8C4025AXI-S412
MCIMX6S5EVM10AB
IPB90R340C3
IPAN65R650CE
VNQ7140AJTR
LM25066IAPSQX
LM25066PSQX
STM32F412ZGT6
NCP6153MNTWG
SPC560P34L1CEFAY
S9KEAZ64AMLH
DS90UB914QSQX
IPT60R125G7
MAX1437ECQ
AD9945KCPZ
CDCM7005ZVAR
MCIMX6S5EVM10AC
THV3543

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