赛孚HDI软硬结合板,FPC打样工厂

PCB六层板的叠层

对于芯片密度较大、时钟频率较高的设计应考虑6层板的设计，推荐叠层方式：

1.SIG－GND－SIG－PWR－GND－SIG；对于这种方案，这种叠层方案可得到较好的信号完整性，信号层与接地层相邻，电源层和接地层配对，每个走线层的阻抗都可较好控制，且两个地层都是能良好的吸收磁力线。并且在电源、地层完整的情况下能为每个信号层都提供较好的回流路径。

2.GND－SIG－GND－PWR－SIG－GND；对于这种方案，该种方案只适用于器件密度不是很高的情况，这种叠层具有上面叠层的所有优点，并且这样顶层和底层的地平面比较完整，能作为一个较好的屏蔽层来使用。需要注意的是电源层要靠近非主元件面的那一层，因为底层的平面会更完整。因此，EMI性能要比种方案好。

小结：对于六层板的方案,电源层与地层之间的间距应尽量减小，以获得好的电源、地耦合。但62mil的板厚,层间距虽然得到减小,还是不容易把主电源与地层之间的间距控制得很小。对比种方案与第二种方案，第二种方案成本要**增加。因此，我们叠层时通常选择种方案。设计时，遵循20H规则和镜像层规则设计。

IC封装基板简介

IC封装基板或称IC载板，主要是作为IC载体，并提供芯片与PCB之间的讯号互联，散热通道，芯片保护。是封装中的关键部件，占封装工艺成本的35～55%。IC基板工艺的基本材料包括铜箔，树脂基板、干膜（固态光阻剂）、湿膜（液态光阻剂）、及金属材料（铜、镍、金盐）等，工艺与PCB相似，但其布线密度线宽线距、层间对位精度及材料的靠性均比PCB高。

IC封装基板发展可分为三个阶段：阶段，1989-1999，初期发展。以日本抢先了世界IC封装基板绝大多数市场为特点；第二阶段，2000-2003快速发展。中国台湾、韩国封装基板业开始兴起，与日本形成“三足鼎立”；第三阶段，2004年起，此阶段以FC封装基板高速发展为鲜明特点。

IC基板生产以日本为主，产值占60%，包括***大厂IBIDEN、SHINKO、NGK、Kyocera、Eastern等；中国台湾厂商第二、占30%，包括NanYa、Unimicron、Kinsus、ASE等；韩国则以SEMCO、Deaduck、LG为主要生产者。基板依其材质可分为BT（BismaleimideTriacine）和ABF（AjinnomotoBuild-upFilm）两种。

为什么要导入类载板

极细化线路叠加SIP封装需求，高密度仍是主线智能手机、平板电脑和可穿戴设备等电子产品向小型化和多功能化方向发展，要搭载的元器件数量**增多然而留给线路板的空间却越来越有限。在这样的背景下，PCB导线宽度、间距，微孔盘的直径和孔中心距离，以及导体层和绝缘层的厚度都在不断下降，从而使PCB得以在尺寸、重量和体积减轻的情况下，反而能容纳更多的元器件。

极细化线路要求比HDI更高的制程。高密度促使PCB不断细化线路，锡球（BGA）间距不断缩短。在几年前，0.6mm-0.8mm节距技术已用在了当时的手持设备上，这一代智能手机，由于元件I/O数量和产品小型化，PCB***使用了0.4mm节距技术。而这一趋势正向0.3mm发展，事实上业内对用于移动终端的0.3mm间距技术的开发工作早已开始。同时，微孔大小和连接盘直径已分别下降到75mm和200mm。行业的目标是在未来几年内将微孔和盘分别下降到50mm和150mm。0.3mm的间距设计规范要求线宽线距30/30µm，现行的HDI不符合要求，需要更高制程的类载板。类载板更契合SIP封装技术要求。

存在盲埋孔的pcb板都叫做HDI板吗？

HDI板即高密度互联线路板，盲孔电镀再二次压合的板都是HDI板，分一阶、二阶、三阶、四阶、五阶等HDI，如iPhone6的主板就是五阶HDI。

单纯的埋孔不一定是HDI。

HDIPCB一阶和二阶和三阶如何区分

一阶的比较简单，流程和工艺都好控制。二阶的就开始麻烦了，一个是对位问题，一个打孔和镀铜问题。

二阶的设计有多种，一种是各阶错开位置，需要连接次邻层时通过导线在中间层连通，做法相当于2个一阶HDI。

第二种是，两个一阶的孔重叠，通过叠加方式实现二阶，加工也类似两个一阶，但有很多工艺要点要特别控制，也就是上面所提的。

第三种是直接从外层打孔至第3层（或N-2层），工艺与前面有很多不同，打孔的难度也更大。对于三阶的以二阶类推即是。

HDI板与普通PCB的区别普通的PCB板材是FR-4为主，其为环氧树脂和电子级玻璃布压合而成的。一般传统的HDI，**外面要用背胶铜箔，因为激光钻孔，无法打通玻璃布，所以一般要用无玻璃纤维的背胶铜箔，但是现在的高能激光钻机已经可以打穿1180玻璃布。这样和普通材料就没有任何区别了。

在高速PCB设计时，设计者应该从那些方面去考虑EMC、EMI的规则呢？



一般EMI/EMC设计时需要同时考虑辐射(radiated)与传导(conducted)两个方面。前者归属于频率较高的部分(>30MHz)后者则是较低频的部分(<30MHz)。所以不能只注意高频而忽略低频的部分。

一个好的EMI/EMC设计一开始布局时就要考虑到器件的位置，PCB叠层的安排，重要联机的走法，器件的选择等，如果这些没有事前有较佳的安排，事后解决则会事倍功半，增加成本。

例如时钟产生器的位置尽量不要靠近对外的连接器，高速信号尽量走内层并注意特性阻抗匹配与参考层的连续以减少反射，器件所推的信号之斜率(slewrate)尽量小以减低高频成分，选择去耦合(decoupling/bypass)电容时注意其频率响应是否符合需求以降低电源层噪声。

另外，注意高频信号电流之回流路径使其回路面积尽量小(也就是回路阻抗loopimpedance尽量小)以减少辐射。还可以用分割地层的方式以控制高频噪声的范围。

适当的选择PCB与外壳的接地点(chassisground)。

PCB如何布局特殊元器件

PCB器件布局它有一定的规则需要大家遵守。除了通用要求外，一些特殊的器件也会有不同的布局要求。

*压接器件的布局要求

1）弯/公、弯/母压接器件面的周围3mm不得有3mm的元器件，周围1.5mm不得有任何焊接器件；在压接器件的反面距离压接器件的插***中心2.5mm范围内不得有任何元器件。

2）直/公、直/母压接器件周围1mm不得有任何元器件；对直/公、直/母压接器件其背面需安装护套时，距离护套边缘1mm范围内不得布置任何元器件，不安装护套时距离压接孔2.5mm范围内不得布置任何元器件。

3）欧式连接器配合使用的接地连接器的带电插拔座，长针前端6.5mm禁布，短针2.0mm禁布。

4）2mmFB电源单PIN插针的长针，对应单板插座前端8mm禁布。

*热敏器件的布局要求

1）器件布局时，热敏器件（如电解电容、晶振等）尽量远离高热器件。

2）热敏器件应紧贴被测元件并远离高温区域，以免受到其它发热功当量元件影响，引起误动作。

3）将本身发热而又耐热的器件放在靠近出风口的位置或顶部，但如果不能承受较高温度，也要放在进风口附近，注意尽量与其他发热器件和热敏器件在空气上升方向上错开位置。



深圳市赛孚电路科技有限公司成立于2011年，中**PCB多层板服务提供商