IPP50R190CE金属氧化物半导体场效应晶体管

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规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18.5A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 13V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 190 毫欧 @ 6.2A，13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.5V @ 510µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 47.2nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1137pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 127W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3

优势产品：
STM32L476VGT6
PI7C9X440SLBFDE
AD8630ARZ
TCA6424RGJR
SN74AVCA164245GR
ISL6366CRZ
IPP50R190CE
MAX4999ETJ
89H34H16G2ZCBLG
CYBL10462-56LQXI
MT27518A2
ADUM2250ARWZ
TPS65631DPDR
HD3SS6126RUAR

公司简介：
深圳市星际金华实业有限公司是的电子元件分销商。公司在香港、深圳等地设有仓库，有足够的库存资源，物品的质量是我们对客户基本的承诺，所有物料在入库之前都经过严谨的质量核查，以确保能够为您提供严格符合原厂各项技术标准的原厂原包装货品。我们将用诚信与您合作，期待您的致电咨询！！！

公司主要销售电子元器件产品，涉及集成电路、场效应管、达林顿、肖特基、快恢复、可控硅、三相桥、整流二极管、DC/DC、AC/DC、IGBT、IPM、PIM、变频调速,功率模块,射频大小功率管等,产品主要应用于家电产业，电力、通信系统、数据传输,电机调速，变频设备等高科技领域。