SI5475BDC/SI5482DU/SI5504DC分立半导体场效应管

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产品规格：
SI5475BDC
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）40nC @ 8V
Vgs（大值）±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）1400pF @ 6V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），6.3W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）28 毫欧 @ 5.6A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装1206-8 ChipFET™
封装/外壳 8-SMD，扁平引线

SI5482DU：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）51nC @ 10V
Vgs（大值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）1610pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 3.1W（Ta），31W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）15 毫欧 @ 7.4A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装PowerPAK® ChipFET 单通道
封装/外壳PowerPAK® CHIPFET™ 单

SI5504DC：
FET 类型 N 和 P 沟道
技术 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.9A，2.1A
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）85 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1V @ 250µA（小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）7.5nC @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 1.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SMD，扁平引线
封装/外壳1206-8 ChipFET™

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