大量原装出售英飞凌BSC030N08NS5N沟道场效应晶体管

深圳市星际金华电子公司大量原装出售英飞凌BSC030N08NS5 N沟道场效应晶体管 全新原装 质量 海量库存！！！

规格参数值：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.8V @ 95µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 5600pF @ 40V
Vgs（大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 2.5W（Ta），139W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 3 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8
封装/外壳 8-PowerTDFN

优势货源：
TSV852AIDT
TSV6192IST
AUIPS7142GTR
BSC030N08NS5
BSZ160N10NS3G
BSC047N08NS3G
IXGH48N60C3D1
DS110DF111SQ
MAX9130EXT
LM5114BMFX
TS5A4624DCKR
DS2408S
TLE7273-2E
1-6450520-3
FPF1504BUCX
SKY13448-001B
SP619EK
BLF888B
VN7040ASTR
LMC567CMX
THGBMFG8C2LBAIL

【BSC030N08NS5 晶体管】此型号为星际金华长期现货供应产品，网上标价持有不确定，价格请以当天询问为准，因公司产品型号较多，不能一一上传，如果您想了解更多关于原装现货产品，可以来电联系！！！
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