FDMS7692金属氧化物半导体场效应晶体管和NB670GQ线性稳压器

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规格
FDMS7692金属氧化物半导体场效应晶体管
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 314A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 22nC @ 10V
Voltage Coupled to Gate Charge（Qg）（Max） @ Vgs 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）1350pF @ 15V
Voltage Coupled to Input Capacitance（Ciss）（Max） @ Vds 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值）2.5W（Ta），27W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）7.5 毫欧 @ 13A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN

NB670GQ线性稳压器：
拓扑 降压同步（1），线性（LDO）（1）
功能 任何功能
输出数 2
频率 - 开关 500kHz
电压/电流 - 输出 1 3.3V，6A
电压/电流 - 输出 2 3.3V，100mA
电压/电流 - 输出 3 -
带 LED 驱动器 无
带定序器 无
电压 - 电源 5 V ~ 22 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 14-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装16-QFN（3x3）

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