规格
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(大值) 68 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(大值) 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(大值) 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(大值) 415pF @ 50V
功率 - 大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC