IRFH5250DTRPBFN沟道场效应晶体管

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产品详细参数：
FET 类型N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 83nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 6115pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 3.6W（Ta），156W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）1.4 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳 8-PowerVDFN

公司还以下型号：
87BFN-120R-3F
ISL58302D1RTZ
PIC24HJ128GP510AT-I/PT
PIC32MX320F128HT-80I/MR
PIC16LF873AT-I/ML
STI5518DVC
LAN9117
EDD2516AETA-6B
BCM54684D0KFBG
ICL7660ACBAZA
SKY77767-11
STP5NK50ZFP
TC74HC590AP
LMS6002DFN
PHB11N06LT
IS61WV51216EDBLL-8TLI
SKY77753-51
ATMXT154E-MAHIR
TS3A27518EZQSR
XC8101AA01MR
CSPEMI201AG
ACPL-332J-500E
ACPL-M43T-500E
BD9007HFP
LSM330TR
TAS5142DDVR
LT1620IS8
LTC2903IS6-B1
ZEN056V130A24GS
RFM04U6P
RUL035N02TR
MP2451DT
LM70CIMM-5
LM4853MMX
BA7808FP
XR16V554IL
MCP112T-270E

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