BSC010N04LSIN沟道场效应管

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产品详细参数：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）37A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 87nC @ 10V
Vgs（大值）±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）6200pF @ 20V
FET 功能肖特基二极管（体）
功率耗散（大值）2.5W（Ta），139W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）） 1.05 毫欧 @ 50A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TDSON-8 FL
封装/外壳8-PowerTDFN

公司还提供以下型号：
TMP513AIRSAR
TPS22904YFPR
TMP423BIDCNR
BSC010N04LSI
BSC016N06NS
BSC077N12NS3G
BSC028N06NS
STD25NF20
XC7Z035-1FBG676I
XC7A200T-1SBG484I
TMS320C6414TBCLZ1
MIP4150MDSLJ
W25Q64FVSFIG
STM8S003F3U6TR
UCB1400BEVM
GD25Q16CSIG
NCV7513BFTR2G
ESD8472MUT5G
BCM82764BKFSBG
MFRC63001HN
L6207PD
WM9714LGEFL
AGQ210A03Z
GT60M324
BQ24260YFFR
BQ24261YFFR
STK672-432B
TLE2301INE
STM8L101F2U6ATR
6N136M
STW4N150
MM3Z39VT1G
NCP1607BDR2G
TPS78218DRVR
ACMD-6003
BGU8052
TQP9418
HMC546LP2E
LTC6994IS6-1
XCVU440-2FLGA2892E
BU30TD2WNVX
LM3646YFQR

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