大量的研究表明低频噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映,此外噪声检测方法还具有灵敏、普适、快速和非破坏性等优点。电噪声根据其形成机构可分为白噪声和过剩噪声。其中,白噪声与频率无关,主要由材料或器件的本征性质决定;过剩噪声则在低频下显著,主要由材料或器件的不完整性决定,大量研究已经证明,绝大多数不完整性(尤其是潜在缺陷) 的存在都会引入过剩噪声,而且噪声大的器件,可靠性必然差。另外,低频噪声与传统的电学参数相比较,可以更加灵敏地反映器件的潜在损伤,这些都使得低频噪声能广泛的应用于半导体器件的可靠性研究。低频噪声除了可以用在电子器件可靠性的检测外,在一些光电器件如量子阱激光器、发光二极管、光电耦合器方面也有成功的应用。
1999年初,Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器,其输出功率为5mw,发射波长为400nm,工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器,波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比,如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器,则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4-5倍,因此,宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。
:主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、率、体积小、重量轻等。目前代、第二代半导体材料在输出功率方面已达到极限并且由于GaN半导体在热稳定性方面的优势,很容易实现高工作脉宽和高工作比。功率增加 10 倍。