氮化镓,分子式GaN,英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物,镓是一种具有直接带隙的半导体材料,自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿,其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙,可用于大功率、高速的光电元件,其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。
氮化镓GaN材料的研究与应用是当前全球半导体研究的和热点。它是一种用于开发微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。继代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热率、良好的化学稳定性(几乎不被任何酸腐蚀)和强的抗辐射性能。应用于光电子、高温大功率器件以及高频微波器件中的应用具有广阔的前景。
GaN具有较宽的禁带宽度(3.4eV),以蓝宝石等材料为衬底,具有良好的散热性能,有利于器件在高功率条件下的工作。随着III族氮化物材料和器件研发的不断深入,GaInN蓝光和绿光LED技术已经商业化,现在全球各大公司和研究机构都投入巨资研发蓝光LED的竞争。