SBD的主要优点包括两个方面:
1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。
但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电流比PN结二极管大。
同普通硅二极管一样,肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。不同的是,普通二极管的工作是利用半导体PN 结的单向导电特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体接触产生的势垒而起到单向导电作用,它是以多数载流子工作的整流器件,因而在开关时没有少数载流子的存储电荷和移动效应。所以,肖特基二极管的开关速度非常快,反向恢复时间trr很短 (小于几十ns);同时,其正向压降V F 较小,尤其适用于高速开关电路和低压大电流输出电路,具有较高的整流效率和可靠性。但肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压V R 较低,一般只有 100V 左右;二是反向漏电流IR 较大。
在使用肖特基二极管时,需要注意以下几点:
选择合适的型号:根据实际应用场景选择合适的肖特基二极管型号,以确保其性能满足需求。
控制正向电流:肖特基二极管的正向电流较大时,会产生较大的热量,需要合理控制正向电流以防止过热损坏。
注意反向电压:肖特基二极管的反向击穿电压较低,需要避免过高的反向电压以免损坏器件。