GaN芯片烧结银有压烧结银膏

善仁新材作为低温无压烧结银的，一直低温烧结温度，从客户要求的220度，到200度，到180度，到170度。

1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。

2提高可靠性：善仁新材利用积累多年的纳米银技术，充分抓住汽车动力总成电气化这一趋势，通过高可靠的烧结银技术不仅能帮助客户实现率的电力电子设备，同时还能缩小产品尺寸、以及大大提高可靠性。

随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。

当前功率半导体行业正在面临SiC和GaN等宽禁带半导体强势崛起，随着电动汽车市场的增量放大，消费者对汽车的高续航、超快充等要求越来越高，电力电子模块的功率密度、工作温度及可靠性的要求也在越来越复杂，封装成了提升可靠性和性能的关键。封装是承载器件的载体，也是SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。

烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；一般的导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。

对于大功率芯片封装来说，烧结银表现出了传统解决方案所没有的优势。