SiC芯片烧结银上海烧结银无压烧结银膏

善仁新材作为低温无压烧结银的，一直低温烧结温度，从客户要求的220度，到200度，到180度，到170度。

1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。

2提高可靠性：善仁新材利用积累多年的纳米银技术，充分抓住汽车动力总成电气化这一趋势，通过高可靠的烧结银技术不仅能帮助客户实现率的电力电子设备，同时还能缩小产品尺寸、以及大大提高可靠性。

实现规模生产：善仁新材的烧结银可以多种产品形式供应，再加上Ag、Au和Cu表面处理方案，可提供的灵活解决方案，帮助客户实现规模化生产和提高良率。

多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。

烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；一般的导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。

对于大功率芯片封装来说，烧结银表现出了传统解决方案所没有的优势。