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　　W75钨铜合金简介：

　　CuW75钨铜合金是由75%的钨和25%的铜配比组成的棒材，其中25±2%铜，杂质钨为0.5余量。其合金密度可达14.50g/cm3,硬度不低于HB195。电导率约为38IACS%，导热系数200-230（wm/k），热膨胀系数9.0-9.5（10-6K），软化温度不低于900摄氏度。

　　CuW75钨铜合金性能：

　　1、配比：75W+25Cu

　　2、密度：14.5g/cm3

　　3、导电：38IACS%

　　4、硬度 gt;195HB

　　5、抗弯强度：885

　　75W25Cu钨铜合金的电击穿测试结果：

　　75W25Cu钨铜合金 耐电压强度（V/m） 截流值（A） 燃弧时间（ms）

　　粗晶 5.15x107 3.49 16.92

　　细晶 6.42x107 3.16 17.43

　　从上表的结果来看，细晶CuW75钨铜合金的耐电压强度要粗晶CuW75钨铜合金，原因是内电场在75W25Cu钨铜合金的电击穿过程中起着非常重要的作用。CuW75钨铜合金中Cu、W由于费米能级不同，在相界面处电子发生转移，产生接触电势，从而在各相界面处形成内电场。也就是说，内电场的形成伴随着界面两种金属电子的转移，使界面处电子形成新的动态平衡，界面处原有的电子发生变化，根据真空电极穿发生原理，电子结构的变化影响金属表面的电极穿强度。

　　当粒径变小时，CuW75钨铜合金的耐电压强度明显变大，说明内电场对不同粒径W粉制备的CuW75钨铜合金的电极穿过程作用不同。由于Cu的逸出功小于W，因此Cu、W颗粒接触后，在界面处Cu颗粒失去电子，产生正电荷，W颗粒得到电子，产生负电荷，则相间内电场的方向由Cu颗粒指向W颗粒。粗晶CuW75钨铜合金中W粉粒径较大，W晶粒尺寸也大，W颗粒分散性降低、连接性减弱，因而晶界较少，所占比例很小，致使真空电击穿时相间内电场对其的作用影响也不大，甚至可以忽略，因此真空电击穿选择性地在Cu相上发生。细晶75W25Cu钨铜合金中W粉粒径减小，W晶粒尺寸变小，Cu相分布也更加均匀，因而相界明显增多，所占比例增大，使得真空电击穿时相间内电场对其的影响作用增强。