国产烧结银无压烧结银膏GaN芯片烧结银

SHAREX善仁新材开发的低温纳米烧结银有以下9大特点：
1低压或者无压烧结
2低温工艺：烧结温度可以在170度

高导热率：导热率可达3130W/mK
4高导电率：体阻低至2.2*10-6
5 耐候性好：-55-250°C

1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。

2提高可靠性：善仁新材利用积累多年的纳米银技术，充分抓住汽车动力总成电气化这一趋势，通过高可靠的烧结银技术不仅能帮助客户实现率的电力电子设备，同时还能缩小产品尺寸、以及大大提高可靠性。

多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。

当前功率半导体行业正在面临SiC和GaN等宽禁带半导体强势崛起，随着电动汽车市场的增量放大，消费者对汽车的高续航、超快充等要求越来越高，电力电子模块的功率密度、工作温度及可靠性的要求也在越来越复杂，封装成了提升可靠性和性能的关键。封装是承载器件的载体，也是SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。