目前,世界上绝大部分厂家采用传统的改良西门子法生产硅料,作为成熟的技术路线,其降本增效潜力已近极限。作为硅料的保利协鑫十余年如一日,不断寻求技术突破以实现提质增效,其的、具有自主知识产权的硅烷流化床法颗粒硅(FBR法颗粒硅)技术已趋成熟,在产品纯度、能耗、产能等各项指标上,均大幅改良西门子法。
硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中,为1.12电子伏。载流子迁移率较高,电子迁移率为1350厘米2/伏·秒,空穴迁移率为480厘米2/伏·秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧·厘米,掺杂后电阻率可控制在104~10-4 欧·厘米的宽广范围内,能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。
电阻率与均匀度 拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀,电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。