成都生产SiC碳化硅烧结银膏

2024-11-18 03:49:28

善仁新材的纳米烧结银互连层的制作工艺
其工艺主要包括:
① 在覆铜(Cu)基板上涂覆或者丝网印刷纳米烧结银,将芯片放置在纳米银膏上;

② 进行预加热干燥,用于排除烧结银中的有机气体等挥发物,然后在高温下进行无压或压力辅助烧结,主要烧结工艺参数有:升温速率、烧结温度、烧结压强、烧结时间和气体环境等;

纳米烧结银互连层的蠕变性能
善仁研究院通过实验发现:蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大,建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。

标签:SiC碳化硅烧结银膏
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